zy1 ... zy200 (2 w) zy1 ... zy200 (2 w) silicon-power-zener diodes (non-planar technology) silizium-leistungs-zener-dioden (fl?chendiffundierte dioden) version 2015-05-13 dimensions - ma?e [mm] maximum power dissipation maximale verlustleistung 2 w nominal z-voltage nominale z-spannung 1...200 v plastic case C kunststoffgeh?use ~do-41 ~do-204ac weight approx. C gewicht ca. 0.4 g marking: z plus zenervoltage stempelung: ?z plus zenerspannung plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped in ammo pak standard lieferform gegurtet in ammo-pack standard zener voltage tolerance is graded to the international e 24 (~ 5%) standard. other voltage tolerances and higher zener voltages on request. die toleranz der zener-spannung ist in der standard-ausfhrung gestuft nach der internationalen reihe e 24 (~ 5%). andere toleranzen oder h?here arbeitsspannungen auf anfrage. maximum ratings and characteristics grenz- und kennwerte zy-series power dissipation verlustleistung t a = 50c p tot 2 w 1 ) non repetitive peak power dissipation, t < 1 ms einmalige impuls-verlustleistung, t < 1 ms t a = 25c p zsm 60 w operating junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+150c -50...+175c thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 45 k/w 1 ) thermal resistance junction to terminal w?rme widerstand sperrschicht C anschluss r thl < 15 k/w zener voltages see table on next page C zener-spannungen siehe tabelle auf der n?chsten seite 2 3 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 tested with pulses C gemessen mit impulsen 3 the zy1 is a diode operated in forward mode. hence, the index of all parameters should be f instead of z. the cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole. die zy1 ist eine in durchlass betriebene si-diode. daher ist bei allen kenn- und grenzwerten der index f anstatt z zu setzen. die mit wei?em balken gekennzeichnete kathode ist mit dem minuspol zu verbinden. ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 t y p e ? 0.77 0.07 ? 2.6 -0.1 6 2 . 5 + 0 . 5 5 . 1 + 0 . 1 - 4 . 5 - 0 . 5
zy1 ... zy200 (2 w) maximum ratings and characteristics (t j = 25c unless otherwise specified) grenz- und kennwerte (t j = 25c wenn nicht anders spezifiziert) type typ zener voltage 2 ) zener-spannung 2 ) i z = i ztest test current me?strom dynamic resistance diff. widerstand i ztest / f = 1 khz temp. coeffic. of z-voltage der z-spannung reverse volt. sperrspanng. i r = 1 a z-current 1 ) z-strom 1 ) t a = 50c v zmin [v] v zmax [v] i ztest [ma] r zj [] vz [10 -4 /c] v r [v] i zmax [ma] zy1 3 ) 0.71 0.82 100 0.5 (<1) C26C16 C 1500 zy5.6 5.2 6.0 100 1 (<3) C3+5 > 0.5 / 3 a 333 zy6.2 5.8 6.6 100 1 (<2) C1+6 > 1.5 303 zy6.8 6.4 7.2 100 1 (<2) 0+7 > 2 278 zy7.5 7.0 7.9 100 1 (<2) 0+7 > 2 253 zy8.2 7.7 8.7 100 1 (<2) +3+8 > 3.5 230 zy9.1 8.5 9.6 50 2 (<4) +3+8 > 3.5 208 ZY10 9.4 10.6 50 2 (<4) +5+9 > 5 189 zy11 10.4 11.6 50 4 (<7) +5+10 > 5 172 zy12 11.4 12.7 50 4 (<7) +5+10 > 7 157 zy13 12.4 14.1 50 5 (<10) +5+10 > 7 142 zy15 13.8 15.6 50 5 (<10) +5+10 > 10 128 zy16 15.3 17.1 25 6 (<15) +6+11 > 10 117 zy18 16.8 19.1 25 6 (<15) +6+11 > 10 105 zy20 18.8 21.2 25 6 (<15) +6+11 > 10 94 zy22 20.8 23.3 25 6 (<15) +6+11 > 12 86 zy24 22.8 25.6 25 7 (<15) +6+11 > 12 78 zy27 25.1 28.9 25 7 (<15) +6+11 > 14 69 zy30 28 32 25 8 (<15) +6+11 > 14 63 zy33 31 35 25 8 (<15) +6+11 > 17 57 zy36 34 38 10 16 (<40) +6+11 > 17 53 zy39 37 41 10 20 (<40) +6+11 > 20 49 zy43 40 46 10 24 (<45) +7+12 > 20 43 zy47 44 50 10 24 (<45) +7+12 > 24 40 zy51 48 54 10 25 (<60) +7+12 > 24 37 zy56 52 60 10 25 (<60) +7+12 > 28 33 zy62 58 66 10 25 (<80) +8+13 > 28 30 zy68 64 72 10 25 (<80) +8+13 > 34 28 zy75 70 79 10 30 (<100) +8+13 > 34 25 zy82 77 88 10 30 (<100) +8+13 > 41 23 zy91 85 96 5 40 (<200) +9+13 > 41 21 ZY100 94 106 5 60 (<200) +9+13 > 50 19 zy110 104 116 5 80 (<250) +9+13 > 50 17 zy120 114 127 5 80 (<250) +9+13 > 60 16 zy130 124 141 5 90 (<300) +9+13 > 60 14 zy150 138 156 5 100 (<300) +9+13 > 75 13 zy160 153 171 5 110 (<350) +9+13 > 75 12 zy180 168 191 5 120 (<350) +9+13 > 90 10 zy200 188 212 5 150 (<350) +9+13 > 90 9 1 notes see previous page C fu?noten siehe vorhergehende seite 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag
zy1 ... zy200 (2 w) ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 3 120 100 80 60 40 20 0 [%] p tot power dissipation versus ambient temperature ) verlustleistung in abh. von d. umgebungstemp. ) 1 1 [c] t a 150 100 50 0 10 10 1 10 10 2 -1 -2 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 v f 0.8 1.0 1.2 1.4 [v] 1.8 t = 25c j t = 125c j 30a-(1a-1.1v) typ. thermal resistance vs lead length typ. therm. widerst. in abh. der anschlussl?nge 50 50 40 30 20 10 0 r thl [k/w] [mm] l 12 8 4 0 l [pf] [v] c j v z t = 25c f = 1.0 mhz j v = 0v r v = 4v r v = 20v r v = 40v r junction capacitance vs. zener voltage (typical) sperrschichtkapazit?t in abh. v.d. zenerspg. (typ.) 0 2 3 4 5 6 7 8 10 [v] v z [ma] 50 150 0 100 i z typical breakdown characteristic typische abbruchspannung C tested with pulses C gemessen mit impulsen 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 i zt i zmax 1 t = 25c j i = 5 ma z typ. zener voltage vs. zener current C typ. abbruchspannung ber zenerstrom 10 18 24 30 36 43 51 62 56 68 75 82 91 100 i zt i zmax 36 43
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